Η Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти объявил массовое производство мобильных DRAM с максимальной мощностью.
Η новая мобильная DRAM - первая в отрасли в 4 раза больше 12 гигабайт (ГБ), низкое энергопотребление, двойная скорость передачи данных (LPDDR4X) - оптимизированы для смартфонов премиум-класса завтрашнего дня. Обладая большей емкостью, чем у большинства сверхтонких ноутбуков, новая мобильная память DRAM позволит пользователям максимально использовать все функции смартфонов следующего поколения.
«С запуском массового производства нового LPDDR4X Samsung завершает полную линейку передовых продуктов памяти, которые откроют новую эру смартфонов, включая решения для хранения данных с мобильной DRAM с 12 ГБ до 512 ГБ eUFS 3», - сказал Севон Чун, исполнительный вице-президент. Президент по маркетингу памяти Samsung Electronics. «Кроме того, с LPDDR4X мы укрепляем нашу позицию производителя мобильной памяти премиум-класса, чтобы эффективно удовлетворять быстро растущие потребности производителей смартфонов во всем мире».
Благодаря мобильной DRAM емкостью 12 ГБ производители смартфонов могут максимально использовать возможности устройств с более чем пятью камерами, постоянно увеличивающимся размером экрана, а также функциями искусственного интеллекта (AI) и 5G. С новой памятью DRAM 12 ГБ пользователи смартфонов могут одновременно и без проблем выполнять множество задач, быстрее выполнять поиск, легко перемещаться между многочисленными приложениями на очень больших экранах с более высоким разрешением. Кроме того, его тонкий дизайн (всего 1.1 мм) соответствует элегантному и простому дизайну смартфонов.
Емкость 12 ГБ была достигнута за счет комбинации шести (6) чипов LPDDR4X, по 16 гигабит каждый, на основе 10-нм (1y-нм) обработки второго поколения в одном корпусе, что позволило освободить больше места для аккумулятора смартфона. Кроме того, благодаря использованию технологии Samsung 1y-нм новая мобильная память объемом 12 ГБ обеспечивает скорость передачи данных до 34.1 ГБ в секунду, снижая при этом неизбежное увеличение энергопотребления, вызванное увеличением емкости DRAM.
С момента выпуска мобильного DRAM объемом 1 ГБ в 2011 году Samsung продолжает лидировать на рынке мобильных DRAM, представив мобильный DRAM объемом 6 ГБ в 2015 году, 8 ГБ в 2016 году и представив первый LPDDR12X объемом 4 ГБ. На производственной линии современной памяти в Корее Samsung планирует более чем в три раза увеличить предложение мобильных DRAM емкостью 8 и 12 ГБ на основе 1y-нм во второй половине 2019 года, чтобы удовлетворить ожидаемый высокий спрос.
График производства Samsung Mobile DRAM: массовое производство
Дата | емкость | Мобильная DRAM |
Февраль 2019 г. | 12GB | 1y-нм 16 ГБ LPDDR4X, 4266 Мбит / с |
июль 2018 г. | 8GB | 1y-нм 16 ГБ LPDDR4X, 4266 Мбит / с |
Апр.2018 г. | 8 ГБ (разработка) | 1x-нм 8 ГБ LPDDR5, 6400 Мбит / с |
Сентябрь 2016 | 8GB | 1x-нм 16 ГБ LPDDR4X, 4266 Мбит / с |
Август 2015 г. | 6GB | 20-нм (2z) 12 ГБ LPDDR4, 4266 Мбит / с |
Декабрь 2014 г. | 4GB | 20-нм (2z) 8 ГБ LPDDR4, 3200 Мбит / с |
Сентябрь 2014 | 3GB | 20-нм (2z) 6 ГБ LPDDR3, 2133 Мбит / с |
Ноябрь 2013 | 3GB | 2y-нм 6 ГБ LPDDR3, 2133 Мбит / с |
июль 2013 г. | 3GB | 2y-нм 4 ГБ LPDDR3, 2133 Мбит / с |
Апр.2013 г. | 2GB | 2y-нм 4 ГБ LPDDR3, 2133 Мбит / с |
Август 2012 г. | 2GB | 30-нм класс 4 ГБ LPDDR3, 1600 Мбит / с |
2011 | 1 / 2GB | 30-нм класс 4 ГБ LPDDR2, 1066 Мбит / с |
2010 | 512MB | 40-нм класс, 2 ГБ, MDDR, 400 Мбит / с |
2009 | 256MB | 50-нм класс, 1 ГБ, MDDR, 400 Мбит / с |