Intel: перейдет на новую транзисторную технологию Gate-All-Around (GAA)

После трудностей с производством 10-нанометров Intel хочет найти другие способы оставаться конкурентоспособными на рынке процессоров.

Σконференция СБИС 2020 ο Технический директор из Intel Майк Мэйберри упомянул «будущее вычислительной техники» - серьезную проблему, которая, как ожидается, будет беспокоить компанию в ближайшие годы.

Речь идет практически о переходе Intel от классического дизайна. транзистор (FinFET), где мы имеем дело с их трехмерным выравниванием, в совершенно новом, создавая революционные новые продукты.

Один из вопросов в конце конференции был о будущем технологий и там Мейберри Он сказал, что ожидает, что транзисторы на основе нанопроволоки будут запущены в производство через пять лет, но это не то, что может означать конкретную дату выпуска.

Вместе с другими крупными компаниями в этой области, такими как Samsung, Intel продолжит разработку революционных методов производства. Но перед этим он подтверждает, что в 2021 году мы увидим их запись. 10nm + а также новый узел 7nm появиться в листы продуктов с надеждой на выпуск в конце года.

Intel, как и другие производители транзисторов, займется дизайном. Ворота-все вокруг (GAA) который включает в себя «почти» плавающие ребра транзистора с их основным плюсом, учитывая небольшие размеры.

Это, наряду с другими положительными моментами, такими как большее масштабирование, которое он может предложить против FinFET сделает транзисторы GAA следующим большим шагом для Intel, на который в ближайшем будущем будут полагаться и другие компании.

источник